W. Zhu o.fl. hafa framleitt ofurfínt og hreint duft við 1200 ~ 1400 gráður með efnagufuútfellingu með því að nota sílan og asetýlen sem hvarfgas og vetni sem burðargas. Með því að nota hexametýlsílan sem hvarfgjafa og vetni og argon sem burðarlofttegundir, Anaguta et al. framleiddi einnig ofurfínt kísilduft með miklum hreinleika með efnagufu við 1050 ~ 1250 gráður.
Meðlimir beggja þessara rannsóknarhópa notuðu efnagufuútfellingu til að búa til kísilduft með miklum hreinleika með lífrænum gasgjöfum. Hins vegar voru framleiddu ofurfínduftin á nanóskala. Þó að hreinleikinn sé mikill er ekki auðvelt að safna því og hentar ekki til framleiðslu á háhreinu og hreinu kísildufti í miklu magni, sem er ekki til þess fallið að þróa iðnvæðingu á síðari stigum.
Framleiðsluaðferð með sjálfvirkum flutningi
Þessi aðferð tekur kísilduft og kolsvart sem hráefni, bætir við öðrum virkjunum og bregst beint við 1000 ~ 1150 gráður til að búa til duft. Innleiðing hvata mun óhjákvæmilega hafa áhrif á hreinleika og gæði framleidda háhreinleika kísilduftsins.
Þess vegna hafa margir vísindamenn lagt til endurbætta sjálfsútbreiðslu nýmyndunaraðferð á þessum grundvelli. Helsta framförin er að koma í veg fyrir innleiðingu virkjunar og tryggja stöðugt og skilvirkt framleiðsluviðbrögð með því að hækka framleiðsluhitastigið og stöðugt hitaframboð. Strax árið 1999, í Japan, voru duft með kornastærð 10 ~ 500 μm framleidd með brennsluaðferð á bilinu 1700 ~ 2000 gráður með því að nota etýlortosilíkat sem kísilgjafa og fenólplastefni sem kolefnisgjafa, og massahlutfall óhreininda var minna en 0,5 × 10-6.
Hins vegar nota hvarfefni þessarar aðferðar lífræn efni, þannig að hráefniskostnaðurinn er hár, sem er ekki stuðlað að stórfelldri framleiðslu á háhreinu kísildufti. Vísindamenn við Shanghai Institute of Silicon Research í kínversku vísindaakademíunni framleiddu við háan hita í argon andrúmslofti með massahlutföllum 99,9% og 99,999%, í sömu röð.
Rannsakendur notuðu virkt kolefni (kornastærð 20 ~ 100 μm) og flögugrafít (kornastærð 5 ~ 25 μm) sem kolefnisgjafa (massahlutfall 99,9%) og háhreinan sílikon sem kísilgjafa (kornastærð 10 ~ 270 μm) , massahlutfall 99,999%), í sömu röð.
Háhreint kísilduftið var útbúið í lofttæmi og háhita sintunarofni við 1900 gráður undir argon andrúmslofti. Tilraunirnar sýndu að hreinleiki hálofttæmisframleiddu var betri en háhreinleika kísilduftsins sem framleiddur var undir burðargasi. Að auki voru einkristallar ræktaðir með því að nota háhreint kísilduft sem framleitt var undir miklu lofttæmi. Niðurstöðurnar sýna að ræktuðu einkristallarnir eru af miklum hreinleika og hafa framúrskarandi hálfeinangrandi eiginleika, sem uppfylla kröfur tengdra tækja um rafeiginleika hálfeinangrandi undirlags. Horfur fyrir háhreina duftframleiðslutækni
Bætt sjálfstætt útbreiðslu tilbúningur er algeng aðferð til að rækta staka kristalla á rannsóknarstofunni vegna lágs hráefniskostnaðar og einfaldleika. Mismunandi breytur framleiðsluferlis reyndust hafa áhrif á framleiðsluvörur.
